طیف سنجی رامان روشی پرکاربرد برای آنالیز نمونه های مختلف از جمله مواد مبتنی بر کربن است. این مطالعه با هدف شناسایی تعداد لایه‌ها و عیوب گرافن با استفاده از طیف‌سنجی میکرو رامان انجام شد. به طور خاص، این مطالعه فرآیند اکسیداسیون گرافن را تحت قرار گرفتن در معرض UV مورد بررسی قرار داد. بررسی اثر چگالی توان لیزر تحریک رامان یک وابستگی خطی بین نسبت I2D/IG و چگالی توان لیزر تحریک را نشان داد. علاوه بر این، عدم وجود پیک D به دلیل افزایش چگالی توان، شواهدی برای ماهیت غیر مخرب طیف‌سنجی میکرو رامان فراهم می‌کند. با توجه به مقدار I2D/IG، یکی از پارامترهای تعیین تعداد لایه‌های گرافن که در لبه به 1.39 می‌رسد، یافته‌ها حاکی از احتمال چین‌خوردگی لبه گرافن تک لایه است. در طول فرآیند اکسیداسیون، شدت و موقعیت پیک D به عنوان تابعی از زمان نوردهی افزایش می یابد. تغییرات در طیف رامان گرافن، شامل ناپدید شدن پیک 2 بعدی و ظاهر شدن پیک D، فرآیند اکسیداسیون نمونه را ردیابی و تایید می کند.
برای دیدن این مقاله می توانید به سایت The Indian Journal of Physics مراجعه فرمایید.
